本报讯（记者 王俞楠 通讯员 萧科）近日，萧山科技企业镓仁半导体正式发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一成果，也标志着镓仁半导体刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

　　8英寸，究竟意味着什么？

　　据介绍，8英寸氧化镓能够与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，这将会显著加快其产业化应用的步伐。更大的氧化镓衬底尺寸意味着可以在单次生产过程中制造更多的器件，可提升其利用率，降低生产成本，提升生产效率。同时，为复杂的器件设计和集成提供了更多空间，提高器件的一致性和可靠性。

　　值得一提的是，从2英寸到8英寸氧化镓单晶生长技术的跨越式发展，镓仁半导体只用了两年多时间。

　　这背后的秘诀绕不开四个字，自主创新。“我们没有跟随美国、日本等国家的老路，而是通过自主创新，原创了铸造法技术。”镓仁半导体相关负责人告诉记者，不仅尺寸易放大，铸造法还具有成本低、效率高、工艺简单可控等优势，且拥有完全自主知识产权。

　　企业的核心骨干，均来自浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，形成了以中科院院士为首席顾问的专业团队。产学研的深度融合在这里碰撞出了灿烂的火花。目前，镓仁半导体已具备从设备开发到晶体生长的全链条核心技术。

　　公司共计申请专利49项，其中已授权14项，包括国际专利2项，突破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。

　　去年9月，镓仁半导体还推出了首台自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长对高温和高氧环境的需求，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。设备与生长工艺的开放销售，也将助推氧化镓产业的发展。

　　“在创新的过程中，我们也是幸运的。”上述负责人表示，落地萧山后，公司研发不仅受到“5213”项目、领军型创新创业项目等政策的支持，还有资本的青睐，镓仁半导体去年成功获得近亿元Pre—A 轮融资，为公司提供了坚实的资金保障。

　　现阶段，氧化镓还处于产业化的早期，“贵”和“质量欠佳”仍是产业化道路上的拦路虎。而“追求价廉物美的氧化镓单晶材料”永远是镓仁半导体努力的目标。

　　“未来，我们会坚持铸造法技术路线，通过持续的迭代，把氧化镓衬底价格降下来的同时，进一步迭代热场结构与长晶工艺，将质量做到极致。”上述负责人说，镓仁半导体将加大上下游产业化协同合作的力度，通过下游验证反馈去发现材料中的问题，并迭代优化材料的质量，为下游客户提供材料产品的保障。