本报讯（首席记者 周珂 通讯员 黄蕾）日前，位于萧山区经济技术开发区的杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备（非铱坩埚），采用垂直布里奇曼法（VB）成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。

　　国际领先的氧化镓衬底制造商正在迅速采用VB法这一创新技术。该技术不使用贵金属铱坩埚，无需考虑坩埚的氧化损耗，与常见使用铱坩埚的生长方法相比，成本最高可降低至1/50，且可采用空气气氛生长单晶，能够有效抑制氧化镓的高温分解，减少因坩埚腐蚀晶体中的夹杂物等缺陷，提升晶体质量。

　　自2022年9月成立以来，镓仁半导体便以科技实力在宽禁带半导体材料领域崭露头角。作为一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，镓仁半导体专注于氧化镓衬底、外延、设备的发展，致力于推动半导体技术的革新。

　　此次重大突破，不仅成功打破了西方国家在氧化镓设备、材料领域的技术封锁，并且为相关产业需求提供了有力支撑。接下来，镓仁半导体将不断致力于在氧化镓产业链中持续创新，为我国半导体产业的发展提供坚实的产品保障。