本报讯（首席记者 周珂 通讯员 孔晓睿）日前，由浙大杭州国际科创中心（简称科创中心）联合杭州光学精密机械研究所、西安电子科技大学等单位等共同举办的第一届氧化镓技术与产业研讨会在萧山举行。

　　作为目前国内唯一聚焦于氧化镓技术与产业的会议，研讨会旨在进一步促进我国氧化镓领域基础科学研究、推进产学研深度融合、助力氧化镓产业高质量发展。本次研讨会共吸引了海内外78家高校、32家研究院所、290家企业和37家参展单位参加，线上参与人数超万人。

　　中国科学院院士、科创中心首席科学家杨德仁表示，氧化镓材料作为新一代超宽禁带半导体，已在功率器件、射频器件以及光电探测器等领域展现了无可替代的综合实力，其产业化进程也有待进一步加速，“我们希望借此次大会的契机，为氧化镓材料、器件的技术发展和产业化构建更加广泛的合作空间和更加科学、严谨的交流互动平台。”

　　值得一提的是，前不久，科创中心联合杭州镓仁半导体有限公司，成功制备出了3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报道的最大尺寸。

　　本次研讨会共设氧化镓产业、氧化镓材料、氧化镓器件三个分会场，来自肯尼索州立大学、阿卜杜拉国王科技大学、德国莱布尼兹晶体生长研究所、日本NCT公司、亚洲氧化镓联盟、杭州富加镓业、杭州镓仁半导体等国内外高校、科研院所、产业联盟和企业的专家学者聚焦氧化镓晶体生长与加工、薄膜及外延技术、功率及光电器件性能以及产业发展等主题开展报告，交流氧化镓材料及相关器件的最新进展。

　　不少专家表示，我国氧化镓产业面临着大尺寸单晶制备难度高、材料可靠性低、稳定性弱、生产成本高等诸多挑战和技术难点，呼吁氧化镓领域内的同仁们能够加强交流合作、携手并进，共同推动氧化镓技术与产业发展，为我国的科技进步和产业发展贡献力量。