本报讯（首席记者 周珂 通讯员 孔晓睿）同一炉台多尺寸生长技术，是怎样的？这样的设备，就“藏”在位于浙大杭州国际科创中心的晶驰机电科技有限公司总部。

　　与传统的硅材料相比，碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率，可在高温、高电压条件下稳定工作，已成为新能源和半导体产业迭代升级的关键材料。但目前，衬底材料成本居高不下，严重阻碍了碳化硅器件大规模应用。

　　想要让碳化硅行业降本增效，就要尝试制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。

　　晶驰机电研发总监赵聪介绍，“与市面上普遍的6英寸和8英寸的衬底相比，12英寸碳化硅衬底材料扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积。也就是说，在同等生产条件下，芯片产量明显提高，单位芯片制造成本自然会显著降低。”

　　把碳化硅长晶炉想象成烤箱，烤制的蛋糕尺寸不同，所需工艺也有差别。烘焙尚且如此，更不用说长晶这样需要严格控制、层层把关的技术。8英寸和12英寸单晶生长的参数设置、热场分布，甚至晶炉内部配置的坩埚都有不同。

　　赵聪带领研发团队从去年初就开始了高强度的研发攻关，“我们自主研发的‘电阻法碳化硅单晶生长设备’，以创新的结构和热场设计，结合最先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度，并能实现长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化，无论是8英寸还是12英寸，都能无缝‘一键切换’。”

　　与传统生产不同，此次晶驰机电实现了同一台设备既可稳定量产8英寸碳化硅单晶，又完全具备生长12英寸碳化硅单晶的能力。

　　通过该设备生长出来的晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内。炉间工艺稳定、操作方法简单，可实现快速投产；整个工艺流程全部自动化控制，适合产业化应用。“这不仅更灵活适用于未来大尺寸碳化硅衬底的规模化量产，还大大降低了芯片的制造成本，进一步促进行业降本增效。”

　　去年10月，晶驰机电还完成了首轮数千万融资。从实验室的“幼苗”到产业“良木”，作为浙大杭州国际科创中心首批自主孵化的科技公司之一，晶驰机电致力于解决国家先进半导体设备技术卡脖子问题，提升国内先进材料制造能力，实现进口替代。接下来，晶驰机电将继续坚持自主创新，不断探索先进半导体装备的新技术。